Art

J-GLOBAL ID：200902265523307024   Reference number：07A0280724

Comparison of metal-oxide-semiconductor capacitors on c- and m-plane gallium nitride

c及びm面窒化ガリウム上での金属-酸化物-半導体キャパシタの比較

Author (3)： MATOCHA Kevin (GE Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309) ,  TILAK Vinayak (GE Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309) ,  DUNNE Greg (GE Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 90  Issue： 12  Page： 123511-123511-2  Publication year： Mar. 19, 2007 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOS structure ,...
Semi thesaurus term： *capacitor

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0280724&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Thin films in general  (BK14010X)

Terms in the title (3)： 窒化ガリウム ,  酸化物 ,  キャパシタ