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J-GLOBAL ID：200902265613555671   Reference number：04A0890515

Analytical Estimation of Effective Lifetimes of Minority Carriers Injected with Laser Pulse into Dry-Oxidized p-Type Silicon Wafer

レーザパルスで乾式酸化したp型シリコンウエハに注入した少数キャリアの実効寿命の解析的推定

Author (1)： MUNAKATA C (Tohoku Inst. of Technol., Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 11A  Page： L1394-L1396  Publication year： Nov. 01, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： P-type semiconductor ,...

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JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Reference (17)：

• 1) N. Honma, C. Munakata and H. Shimizu: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) 1498.
• 2) M. Toda, Y. Kitagawara and T. Takenaka: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 3330.
• 3) K. Watanabe: Semicond. Sci. Technol. 11 (1996) 1713.
• 4) C. Fujihara, M. Morin, H. Hashizume, J. Friedt, Y. Nakai and M. Hirose: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L1362.
• 5) C. Munakata and K. Watanabe: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 2796.

Terms in the title (8)： レーザパルス ,  酸化 ,  P型シリコン ,  ウエハ ,  注入 ,  少数キャリア ,  解析 ,  推定