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J-GLOBAL ID：200902265960897922   Reference number：04A0151011

Microstructural evolution of a-plane GaN grown on a-plane SiC by metalorganic chemical vapor deposition

有機金属化学蒸着によりa-面SiC上に成長させたa-面GaNの微細構造発達

Author (7)： CRAVEN M D (Univ. California, California) ,  WU F (Univ. California, California) ,  CHAKRABORTY A (Univ. California, California) ,  IMER B (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California) ,  SPECK J S (Univ. California, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 84  Issue： 8  Page： 1281-1283  Publication year： Feb. 23, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 有機金属化学蒸着 ,  SiC ,  成長 ,  GaN ,  微細構造 ,  発達