Art

J-GLOBAL ID：200902266315246379   Reference number：08A0565398

Composition and Bonding Properties of Carbon Nitride Films Grown by Electrochemical Deposition Using Acrylonitrile Liquid

アクリロニトリル液体を使った電気化学堆積により成長させた窒化炭素膜の組成と結合特性

Author (4)： KIYOTA Hideo (Kyushu Tokai Univ., Kumamoto, JPN) ,  GAMO Hidenori (Toppan Printing Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  NISHITANI-GAMO Mikka (Toyo Univ., Saitama, JPN) ,  ANDO Toshihiro (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 2 Issue 1  Page： 1050-1055  Publication year： Feb. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *carbon compound ,  *nitride ,  bias ,  *electrochemical reaction ,  *thin film growth ,  X-ray photoelectron spectrum ,  evaporated film ,  amorphous state ,  double bond ,  triple bond ,  vinyl compound ,  aliphatic nitrile ,  *carbon nitride

JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Substance index (1)： Acrylonitrile

Reference (26)：

• A. Y. Liu and M. Cohen: Science 245(1989)841.
• S. Muhl and J. M. Mendez: Diamond Relat. Mater.8(1999)1809.
• H. Wang, M. R. Shen, Z. Y. Ning, C. Ye, C. B. Cao, H. Y. Dang, and H. S. Zhu: Appl. Phys. Lett.69(1996)1074.
• H. Kiyota, H. Araki, H. Kobayashi, T. Shiga, K. Kitaguchi, M. Iida, H. Wang, T. Miyo, T. Takida, T. Kurosu, K. Inoue, I. Saito, M. Nishitani-Gamo, I. Sakaguchi, and T. Ando: Appl. Phys. Lett.75(1999)2331.
• H. Kiyota, M. Higashi, T. Kurosu, and M. Iida: J. Appl. Phys.99(2006)094903.

Terms in the title (6)： アクリロニトリル ,  電気化学堆積 ,  成長 ,  窒化 ,  炭素膜 ,  組成