Art

J-GLOBAL ID：200902266389058434   Reference number：09A0796381

Self-consistent Analysis of Microwave and Plasma in Microwave excited of Surface-wave Plasma Semiconductor Processing

マイクロ波励起表面波プラズマ半導体処理装置におけるマイクロ波とプラズマの自己無撞着解析に関する検討

Author (5)： NISHIKAWA TAKAYUKI (室蘭工大) ,  HATAGUCHI MASATO (旭川工高専) ,  MATSUOKA SHUNSUKE (旭川工高専) ,  KAWAGUCHI HIDEKI (室蘭工大) ,  KAGAMI SHIN (室蘭工大)
Material： 電気学会電磁界理論研究会資料  (電気学会研究会資料)
Volume： EMT-09  Issue： 58-87  Page： 111-114  Publication year： Jul. 30, 2009 
JST Material Number： Z0909A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *microwave irradiation ,  *semiconductor process ,  SCF method ,  *plasma production ,  electron density ,  algorithm ,  finite difference time domain method
Semi thesaurus term： self-consistent field method ,  *surface wave plasma

JST classification (2)： Applications of plasma  (BJ02110K) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： マイクロ波 ,  励起 ,  表面波プラズマ ,  半導体処理装置 ,  プラズマ ,  自己 ,  無撞着 ,  解析