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J-GLOBAL ID：200902266676835158   Reference number：08A0178694

Energy transfer from Si nanocrystals to Er ions near a metal layer

金属層近傍でのSiナノ結晶からErイオンへのエネルギー移動

Author (5)： FUJII M. (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  NAKAMURA T. (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  MIURA S. (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  INUI M. (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  HAYASHI S. (Kobe Univ., Kobe, JPN)
Material： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A.)
Volume： 205  Issue： 1  Page： 47-51  Publication year： Jan. 2008 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor ,  *silicon ,  *microcrystal ,  photosensitizer ,  multilayer ,  Aluminum ,  ultrathin film ,  Energy Transfer ,  *photoluminescence ,  emission spectrum ,  spectral line intensity ,  attenuation ,  Erbium ,  doping ,  impurity center ,  long-range interaction ,  wavelength dependence ,  *nano crystal ,  silicon dioxide
Semi thesaurus term： silica

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 金属層 ,  近傍 ,  Si ,  ナノ結晶 ,  Er ,  イオン ,  エネルギー移動