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J-GLOBAL ID：200902267116568428   Reference number：04A0749816

Deposition of bulk GaN from solution in gallium under high N₂ pressure on silicon carbide and sapphire substrates

炭化けい素とサファイア基板上の高N₂圧力下でのガリウム中の溶液からのバルクGaNの析出

Author (9)： BOCKOWSKI M (High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL) ,  GRZEGORY I (High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL) ,  KRUKOWSKI S (High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL) ,  LUCZNIK B (High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL) ,  WROBLEWSKI M (High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL) ,  KAMLER G (High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL) ,  BORYSIUK J (High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL) ,  KWIATKOWSKI P (High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL) ,  JASIK K (High Pressure Res. Centre, PAS, Warsaw, POL)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 270  Issue： 3/4  Page： 409-419  Publication year： Oct. 01, 2004 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 炭化けい素 ,  サファイア基板 ,  N2 ,  ガリウム ,  溶液 ,  バルク ,  GaN ,  析出