Art

J-GLOBAL ID：200902267991924009   Reference number：07A1096406

High-Characteristic-Temperature 1.3-μm-Band Laser on an InGaAs Ternary Substrate Grown by the Traveling Liquidus-Zone Method.

液相線移動ゾーン成長法で作ったInGaAs三成分基板上の高特性温度1.3μmバンドレーザ

Author (6)： ARAI Masakazu (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  WATANABE Takao (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YUDA Masahiro (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KINOSHITA Kyoichi (Japan Aerospace Exploration Agency, Ibaraki, JPN) ,  YODA Shinichi (Japan Aerospace Exploration Agency, Ibaraki, JPN) ,  KONDO Yasuhiro (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
Material： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE J Sel Top Quantum Electron)
Volume： 13  Issue： 5,Pt.1  Page： 1295-1301  Publication year： Sep. 2007 
JST Material Number： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well laser ,...
Semi thesaurus term： *MQW laser ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A1096406&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0734A") }}

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (6)： 液相線 ,  ゾーン ,  成長 ,  InGaAs ,  バンド ,  レーザ