Art

J-GLOBAL ID：200902268158237215   Reference number：05A0666470

Electrical property of coincidence site lattice grain boundary in location-controlled Si island by excimer-laser crystallization

エキシマレーザ結晶化を用いた位置制御Si島におけるコインシデンスサイト格子結晶粒界の電気特性

Author (8)： ISHIHARA R. (Delft Univ. of Technol., Fac. of EEMCS, Feldmannweg 17, PO Box 5053, 2600 GB Delft, NLD) ,  HE M. (Delft Univ. of Technol., Fac. of EEMCS, Feldmannweg 17, PO Box 5053, 2600 GB Delft, NLD) ,  RANA V. (Delft Univ. of Technol., Fac. of EEMCS, Feldmannweg 17, PO Box 5053, 2600 GB Delft, NLD) ,  HIROSHIMA Y. (Seiko-Epson, Technol. Platform Res. Center, Nagano, JPN) ,  INOUE S. (Seiko-Epson, Technol. Platform Res. Center, Nagano, JPN) ,  SHIMODA T. (Seiko-Epson, Technol. Platform Res. Center, Nagano, JPN) ,  METSELAAR J.w. (Delft Univ. of Technol., Fac. of EEMCS, Feldmannweg 17, PO Box 5053, 2600 GB Delft, NLD) ,  BEENAKKER C.i.m. (Delft Univ. of Technol., Fac. of EEMCS, Feldmannweg 17, PO Box 5053, 2600 GB Delft, NLD)
Material： Thin Solid Films
Volume： 487  Issue： 1-2  Page： 97-101  Publication year： Sep. 01, 2005 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： excimer laser ,...
Semi thesaurus term： 単一粒子TFT

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JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Laser irradiation effects and damages  (BK16040S) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (7)： エキシマレーザ ,  結晶化 ,  位置制御 ,  Si ,  コインシデンスサイト格子 ,  結晶粒界 ,  電気特性