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J-GLOBAL ID：200902268530048700   Reference number：09A1072603

32-Mb 2T1R SPRAM with localized bi-directional write driver and ’1’/’0’ dual-array equalized reference cell

局所性両方向書き込みドライバと’1’/’0’デュアルアレー等化参照セルを持った32-Mb 2T1R SPRAM

Author (17)： TAKEMURA R. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAWAHARA T. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIURA K. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIURA K. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMAMOTO H. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HAYAKAWA J. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MATSUZAKI N. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  ONO K. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMANOUCHI M. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  ITO K. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI H. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  IKEDA S. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HASEGAWA H. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUOKA H. (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHNO H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Symposium on VLSI Circuits)
Volume： 2009  Page： 70-71  Publication year： 2009 
JST Material Number： W0767A  ISSN： 2158-5601  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,  *RAM ,  *magnetoresistance effect ,  torque ,  *electron spin
Semi thesaurus term： *SPRAM ,  spin torque ,  tunneling magnetoresistance effect

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (10)： 局所性 ,  両方向 ,  書き込み ,  ドライバ ,  デュアル ,  アレー ,  等化 ,  参照 ,  セル ,  SPRAM