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J-GLOBAL ID：200902269021847330   Reference number：08A0838343

Gate-induced quantum-confinement transition of a single dopant atom in a silicon FinFET

シリコンFinFETの単一ドーパント原子のゲート誘導量子閉じ込め遷移

Author (11)： LANSBERGEN G. P. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  RAHMAN R. (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  WELLARD C. J. (Univ. Melbourne, VIC, AUS) ,  WOO I. (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  CARO J. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  COLLAERT N. (InterUniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  BIESEMANS S. (InterUniversity Microelectronics Center (IMEC), Leuven, BEL) ,  KLIMECK G. (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  KLIMECK G. (California Inst. Technol., California, USA) ,  HOLLENBERG L. C. L. (Univ. Melbourne, VIC, AUS) ,  ROGGE S. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
Material： Nature Physics  (Nat Phys)
Volume： 4  Issue： 8  Page： 656-661  Publication year： Aug. 2008 
JST Material Number： W2060A  ISSN： 1745-2473  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  semiconductor ,  *quantum confinement ,  *FET ,  *dopant ,  *control ,  wave function ,  *gate (semiconductor) ,  coherent control

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： シリコン ,  FinFET ,  ドーパント ,  原子 ,  ゲート ,  誘導 ,  量子閉じ込め ,  遷移