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J-GLOBAL ID：200902269794449482   Reference number：06A0096984

Control of p-Type Conduction in a-Plane GaN Grown on Sapphire r-Plane Substrate

サファイアr-面基板に成長したa-面GaNにおけるp型伝導の制御

Author (9)： TSUCHIYA Yosuke (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  OKADOME Yoshizane (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  HONSHIO Akira (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYAKE Yasuto (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAWASHIMA Takeshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  IWAYA Motoaki (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMIYAMA Satoshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO Hiroshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI Isamu (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 44  Issue： 50-52  Page： L1516-L1518  Publication year： Dec. 25, 2005 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： MOVPE ,...

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JST classification (3)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Reference (10)：

• 1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
• 2) H. Amano and I. Akasaki: Mater. Res. Soc. Ext. Abstr. EA-21 (1991) 165.
• 3) H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112.
• 4) H. Amano, M. Kitoh, K. Hiramatsu and I. Akasaki: J. Electrochem. Soc. 137 (1990) 1639.
• 5) T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L382.

Terms in the title (4)： サファイア ,  成長 ,  GaN ,  P型伝導