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J-GLOBAL ID：200902270383952971   Reference number：06A0195695

Raman investigation of strain in Si/SiGe heterostructures: Precise determination of the strain-shift coefficient of Si bands

Si/SiGeヘテロ構造における歪のRaman研究 Siバンド歪シフト係数の正確な測定

Author (4)： NAKASHIMA S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Central 2 1-1-1, Umezono, Tsukuba 305-8568, JPN) ,  MITANI T. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Central 2 1-1-1, Umezono, Tsukuba 305-8568, JPN) ,  NINOMIYA M. (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., 314 Nishisangao, Noda-shi Chiba 278-0015, JPN) ,  MATSUMOTO K. (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., 314 Nishisangao, Noda-shi Chiba 278-0015, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 99  Issue： 5  Page： 053512-053512-6  Publication year： Mar. 01, 2006 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor thin film ,...
Semi thesaurus term： 歪シフト係数

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JST classification (2)： Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： Si ,  SiGe ,  ヘテロ構造 ,  歪 ,  研究 ,  バンド ,  シフト ,  係数