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J-GLOBAL ID：200902270467144579   Reference number：08A0916493

Review of nonvolatile semiconductor memories.

不揮発性半導体メモリー技術の現状

Author (1)： FUJISAKI YOSHIHISA (日立 中研)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 77  Issue： 9  Page： 1060-1071  Publication year： Sep. 10, 2008 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,  *semiconductor memory ,  phase change random access memory ,  *magnetoresistive random access memory ,  *ferroelectric random access memory ,  practical application ,  *metal oxide ,  solid electrolyte

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (84)：

• Table PIDS5a in International Technology Roadmap for Semiconductors. Process Integration, Devices and Structures. 2007, 36
• KINAM, K. Proc. Int. Symp. VLSI Technology, Kyoto, 2005. 2005, 88
• FAZIO, A. MRS Bull. 2004, 29, 814
• TANAKA, H. Proc. Int. Symp. VLSI Technology, Kyoto, 2007. 2007, 14
• SHIBATA, N. Proc. Int. Symp. VLSI Circuits, Kyoto, 2007. 2007, 190

Terms in the title (3)： 不揮発性 ,  半導体メモリー ,  現状