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J-GLOBAL ID：200902271432114487   Reference number：03A0530393

Formation of Ge nanocrystals embedded in a SiO₂ matrix: Transmission electron microscopy, x-ray absorption, and optical studies.

SiO₂マトリックス中に埋込んだGeナノ結晶の作製 透過型電子顕微鏡,X線吸収及び光学研究

Author (6)： KOLOBOV A V (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  WEI S Q (Univ. Sci. and Technol. China, Anhui, CHN) ,  YAN W S (Univ. Sci. and Technol. China, Anhui, CHN) ,  OYANAGI H (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA Y (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  TANAKA K (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 67  Issue： 19  Page： 195314.1-195314.8  Publication year： May. 2003 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon dioxide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (10)： SiO2 ,  マトリックス ,  埋込 ,  Ge ,  ナノ結晶 ,  作製 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線吸収 ,  光学 ,  研究