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J-GLOBAL ID：200902271663223955   Reference number：09A0814419

Graphene bilayer field-effect phototransistor for terahertz and infrared detection

テラヘルツおよび赤外検出に対するグラフェン二層電界効果フォトトランジスタ

Author (2)： RYZHII V. ,  RYZHII M.
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 79  Issue： 24  Page： 245311.1-245311.8  Publication year： Jun. 2009 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Graphite ,  *phototransistor ,  *FET ,  *infrared detector ,  electromagnetic wave ,  potential barrier ,  photoproduction ,  voltage ,  dark current ,  energy gap ,  temperature dependence ,  multilayer ,  *graphene ,  terahertz wave
Semi thesaurus term： gate voltage

JST classification (3)： Photodetectors  (NC03083X) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W)

Terms in the title (6)： テラヘルツ ,  赤外 ,  グラフェン ,  二層 ,  電界効果 ,  フォトトランジスタ