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J-GLOBAL ID：200902271805855954   Reference number：08A0617430

Field-assisted oxygen etching for sharp field-emission tip

鋭い電界放出チップのための電界利用酸素エッチング

Author (4)： RAHMAN Faridur (Dep. of Molecular and Material Sciences, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  ONODA Jo (Dep. of Molecular and Material Sciences, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  IMAIZUMI Koji (Dep. of Molecular and Material Sciences, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  MIZUNO Seigi (Dep. of Molecular and Material Sciences, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 602  Issue： 12  Page： 2128-2134  Publication year： Jun. 15, 2008 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *field emission ,  chip ,  electric field ,  *oxygen ,  etching ,  single crystal ,  *tungsten ,  crystal face ,  field ion microscope ,  voltage ,  confinement ,  field evaporation ,  Fowler-Nordheim tunneling
Semi thesaurus term： bias voltage

JST classification (3)： Inorganic compounds and elements in general  (CD01010D) ,  Thermoionic emission and field emission  (BM09020S) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： 電界放出 ,  電界 ,  酸素 ,  エッチング