Art

J-GLOBAL ID：200902271861858478   Reference number：09A0027429

RFマグネトロンスパッタにより作製したβ-Ga₂O₃膜の抵抗率測定

Author (7)： KOGA DAIKI (熊本電波工高専) ,  TAKAKURA KEN'ICHIRO (熊本電波工高専) ,  KUDO TOMOHIRO (熊本電波工高専) ,  HAYAMA KIYOTERU (熊本電波工高専) ,  OYAMA HIDENORI (熊本電波工高専) ,  SHIBUYA MUTSUO (日本ガスケミ) ,  KAYAMOTO YOSHIO (湖東製作所)
Material： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集
Volume： 34  Page： 95  Publication year： Nov. 29, 2008 
JST Material Number： L1487A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium oxide ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *sputtered deposition ,  RF sputtering ,  magnetron sputtering ,  *electrical resistivity ,  *MSM structure ,  current-voltage characteristic ,  ohmic contact ,  Nickel ,  Titanium ,  wide band gap semiconductor

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (5)： RF ,  マグネトロンスパッタ ,  作製 ,  β-Ga2O3 ,  抵抗率