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J-GLOBAL ID：200902272202123149   Reference number：09A1004377

Ultraviolet Cathodoluminescence and Microstructure Analysis of Gd³⁺ Contained Thin Films Fabricated by Laser Ablation

レーザアブレーションにより作製したGd³⁺を含む薄膜の紫外陰極線ルミネセンスとミクロ構造分析

Author (4)： JING F. (Tokyo Univ. Sci.) ,  HARAKO S. (Tokyo Univ. Sci.) ,  KOMURO S. (Toyo Univ.) ,  ZHAO X. (Tokyo Univ. Sci.)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 70th  Issue： 3  Page： 1331  Publication year： Sep. 08, 2009 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *cathodoluminescence ,  *laser ablation ,  *Gadolinium ,  ultraviolet emission spectrum ,  Aluminum ,  *target ,  room temperature ,  doping ,  *aluminum nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  Si wafer
Semi thesaurus term： silicon substrate

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： レーザアブレーション ,  作製 ,  薄膜 ,  陰極線ルミネセンス ,  構造分析