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J-GLOBAL ID：200902273136792510   Reference number：05A1007115

Thermoelectric properties and figure of merit of a Te-doped InSb bulk single crystal

Te添加したInSbバルク単結晶の熱電気的性質と性能指数

Author (5)： YAMAGUCHI Shigeo (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering and High-Tech Res. Center, Kanagawa Univ., 3-27-1 ...) ,  MATSUMOTO Takayuki (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Kanagawa Univ., 3-27-1 Rokkakubashi, Kanagawa-ku ...) ,  YAMAZAKI Jun (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Kanagawa Univ., 3-27-1 Rokkakubashi, Kanagawa-ku ...) ,  KAIWA Nakaba (Dep. of Electrical, Electronic and Information Engineering, Kanagawa Univ., 3-27-1 Rokkakubashi, Kanagawa-ku ...) ,  YAMAMOTO Atsushi (Energy Technol. Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., AIST Tsukuba Central 2 Umezono ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 87  Issue： 20  Page： 201902-201902-3  Publication year： Nov. 14, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium compound ,...
Semi thesaurus term： thermoelectricity ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： Te ,  InSb ,  バルク ,  単結晶 ,  熱電気的性質 ,  性能指数