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J-GLOBAL ID：200902273159336113   Reference number：03A0469903

Ferroelectric Thin Films on Epitaxial γ-Al₂O₃/Si Substrates

エピタキシャルγ-Al₂O₃/Si基板上への強誘電体薄膜形成

Author (5)： AKAI DAISUKE (豊橋技科大) ,  YOKAWA MIKAKO (豊橋技科大) ,  HIRABAYASHI KEISUKE (豊橋技科大) ,  SAWADA KAZUAKI (豊橋技科大) ,  ISHIDA MAKOTO (豊橋技科大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 103  Issue： 51(SDM2003 33-49)  Page： 61-65  Publication year： May. 16, 2003 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *epitaxy ,...
Semi thesaurus term： PZT ,...

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JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I)

Terms in the title (4)： エピタキシャル ,  γ-AL2O3 ,  Si基板 ,  強誘電体薄膜