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J-GLOBAL ID：200902273574809310   Reference number：07A0478730

Influence of High Temperature in the Growth of Low Dislocation Content AlN Bridge Layers on Patterned 6H-SiC Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

有機金属気相エピタクシーによるパータン化6H-SiC基板上への低転位AlNブリッジ層の成長における高温の影響

Author (6)： BALAKRISHNAN Krishnan (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  BANDOH Akira (Showa-Denko K.K., Chiba, JPN) ,  IWAYA Motoaki (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMIYAMA Satoshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO Hiroshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI Isamu (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 46  Issue： 12-16  Page： L307-L310  Publication year： Apr. 25, 2007 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,...
Semi thesaurus term： *MOVPE ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 有機金属気相エピタクシー ,  6H-SiC ,  転位 ,  AlN ,  ブリッジ ,  成長