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J-GLOBAL ID：200902273751595474   Reference number：03A0439062

Oxygen incorporation mechanism in AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy

分子線エピタクシーで成長させたAlGaAs層における酸素取込み機構

Author (4)： NARITSUKA S (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KOBAYASHI O (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  MITSUDA K (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  NISHINAGA T (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 254  Issue： 3/4  Page： 310-315  Publication year： Jul. 2003 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 分子線エピタクシー ,  成長 ,  AlGaAs ,  酸素 ,  取込み