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J-GLOBAL ID：200902273898317941   Reference number：09A0111158

Tunnel Magnetoresistance Over 100% in MgO-Based Magnetic Tunnel Junction Films With Perpendicular Magnetic L1₀-FePt Electrodes

垂直磁気L1₀-FePt電極を有するMgOベース磁気トンネル接合薄膜における100%以上のトンネル磁気抵抗

Author (8)： YOHSIKAWA Masatoshi (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KITAGAWA Eiji (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAGASE Toshihiko (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  DAIBOU Tadaomi (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAGAMINE Makoto (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NISHIYAMA Katsuya (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KISHI Tatsuya (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YODA Hiroaki (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Trans Magn)
Volume： 44  Issue： 11,Pt.1  Page： 2573-2576  Publication year： Nov. 2008 
JST Material Number： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electrode ,  magnesium oxide ,  tunnel junction ,  *magnetic thin film ,  magnetoresistance effect ,  magnetoresistive random access memory ,  boundary layer ,  dependence ,  overlayer ,  perpendicular magnetic anisotropy
Semi thesaurus term： *L1₀-FePt電極 ,  *MgO ,  *MTJ ,  *TMR ,  interface layer ,  thickness dependency ,  barrier layer

JST classification (2)： Magnetic anisotropy and magnetonechanical effects in general  (BM06101B) ,  Magnetic materials  (NA04040H)

Terms in the title (6)： 垂直 ,  磁気 ,  MgO ,  磁気トンネル接合 ,  薄膜 ,  トンネル磁気抵抗