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J-GLOBAL ID：200902274202394110   Reference number：05A0801602

An 18.5ns 128Mb SOI DRAM with a Floating Body Cell

フローティング・ボディ・セルを備えた18.5ns 128Mb SOI DRAM

Author (11)： OHSAWA Takashi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  FUJITA Katsuyuki (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  HATSUDA Kosuke (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  HIGASHI Tomoki (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  MORIKADO Mutsuo (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  MINAMI Yoshihiro (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  SHINO Tomoaki (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  NAKAJIMA Hiroomi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  INOH Kazumi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  HAMAMOTO Takeshi (Toshiba, Yokohama, JPN) ,  WATANABE Shigeyoshi (Toshiba, Yokohama, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (ISSCC)
Volume： 48  Page： 458-459,609  Publication year： Feb. 2005 
JST Material Number： D0753A  ISSN： 0193-6530  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *DRAM ,...
Semi thesaurus term： フローティング・ボディ・セル ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： ボディ ,  セル ,  SOI ,  DRAM