Art

J-GLOBAL ID：200902275057018640   Reference number：04A0323466

350.9 nm UV Laser Diode Grown on Low-Dislocation-Density AlGaN

低転位密度AlGaN上に成長させた350.9nmUVレーザダイオード

Author (9)： IIDA K (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAWASHIMA T (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYAZAKI A (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KASUGAI H (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  MISHIMA S (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  HONSHIO A (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYAKE Y (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  IWAYA M (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMIYAMA S (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 4A  Page： L499-L500  Publication year： Apr. 01, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor laser ,...
Semi thesaurus term： 窒化ガリウムアルミニウム

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (14)：

• 1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
• 2) H. Amano and I. Akasaki: Mater Res. Soc. Ext Abstr. EA-21 (1991) 165.
• 3) H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112.
• 4) H. Amano, M. Kitoh, K. Hiramatsu and I. Akasaki: J. Electrochem. Soc. 137 (1990) 1639.
• 5) Y. Ujie and T. Nishinaga: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L337.

Terms in the title (4)： 転位密度 ,  AlGaN ,  成長 ,  レーザダイオード