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J-GLOBAL ID：200902275164942113   Reference number：05A0244145

1.28μm lasing from stacked InAs/GaAs quantum dots with low-temperature-grown AlGaAs cladding layer by metalorganic chemical vapor deposition

有機金属化学気相蒸着法によって成長させた低温成長AlGaAsクラッド層を持つ積層InAs/GaAs量子ドットからの1.28μmレーザ発振

Author (8)： TATEBAYASHI J (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HATORI N (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ISHIDA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  EBE H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGAWARA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ARAKAWA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUDO H (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KURAMATA A (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 86  Issue： 5  Page： 053107.1-053107.3  Publication year： Jan. 31, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (10)： 有機金属化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  低温成長 ,  AlGaAs ,  クラッド層 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  レーザ発振