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J-GLOBAL ID：200902275492964124   Reference number：05A0540292

Bistable Resistive Switching of a Sputter-Deposited Cr-doped SrZrO₃ Memory Film

スパッタ蒸着によるCrドープSrZrO₃メモリ膜の双安定抵抗スイッチング

Author (7)： LIU Chih-Yi (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU Pei-Hsun (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WANG Arthur (Winbond Electronics Corp., Hsinchu, TWN) ,  JANG Wen-Yueh (Winbond Electronics Corp., Hsinchu, TWN) ,  YOUNG Jien-Chen (Winbond Electronics Corp., Hsinchu, TWN) ,  CHIU Kuang-Yi (Winbond Electronics Corp., Hsinchu, TWN) ,  TSENG Tseung-Yuen (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 26  Issue： 6  Page： 351-353  Publication year： Jun. 2005 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： zirconate ,...
Semi thesaurus term： transition time

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JST classification (2)： Metal-insulator-metal structures  (BM03087F) ,  Other solid-state devices  (NC03150A)

Terms in the title (5)： スパッタ蒸着 ,  Cr ,  ドープ ,  双安定 ,  抵抗スイッチング