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J-GLOBAL ID：200902275685168430   Reference number：06A0709080

Evaluation of the temperature dependency of the reordering rate of implanted amorphous Si

イオン注入によるアモルファスシリコンの回復速度の温度依存性評価

Author (6)： YAMAZAWA KAZUAKI (産業技術総合研 計測標準研究部門) ,  ARAI MASARU (産業技術総合研 計測標準研究部門) ,  SHIBATA SATOSHI (松下電器産業) ,  NAMBU YUKO (松下電器産業) ,  IZUTANI HISAKI (SEN) ,  MORITA TAKAO (SEN)
Material： 産総研計量標準報告  (AIST Bulletin of Metrology)
Volume： 5  Issue： 2  Page： 97-104  Publication year： Aug. 2006 
JST Material Number： F0410B  ISSN： 1347-1473  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor process ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Thermometry,thermometer  (AD06010K)

Terms in the title (5)： イオン注入 ,  アモルファスシリコン ,  回復 ,  温度依存性 ,  評価