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J-GLOBAL ID：200902275953085250   Reference number：06A0069282

Tuning Optoelectronic Properties of Ambipolar Organic Light-Emitting Transistors Using a Bulk-Heterojunction Approach

バルクのヘテロ接合法による同時二極性の有機物光放出トランジスターの制御可能な光電的性質

Author (6)： LOI Maria Antonietta (Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), CNR, Bologna, ITA) ,  ROST-BIETSCH Constance (IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE) ,  MURGIA Mauro (Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), CNR, Bologna, ITA) ,  KARG Siegfried (IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE) ,  RIESS Walter (IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE) ,  MUCCINI Michele (Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), CNR, Bologna, ITA)
Material： Advanced Functional Materials  (Adv Funct Mater)
Volume： 16  Issue： 1  Page： 41-47  Publication year： Jan. 05, 2006 
JST Material Number： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *phototransistor ,...

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JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (7)： バルク ,  ヘテロ接合 ,  有機物 ,  光放出 ,  トランジスター ,  光電 ,  性質