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J-GLOBAL ID：200902276590954419   Reference number：07A1013296

ゾル-ゲル法によりGa₂O₃単結晶基板上へ作製したβ-Ga₂O₃薄膜の紫外線検出特性

Author (5)： KOKUBUN YOSHIHIRO (石巻専修大 理工) ,  NATORI KOKI (石巻専修大 理工) ,  NAKAGOMI SHINJI (石巻専修大 理工) ,  ARAI NAOKI (日本軽金属) ,  OHIRA SHIGEO (日本軽金属)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 68th  Issue： 2  Page： 666  Publication year： Sep. 04, 2007 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *sol-gel process ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Photometry and photodetectors in general  (BD07031F)

Terms in the title (7)： ゾル-ゲル法 ,  Ga2O3 ,  単結晶基板 ,  作製 ,  β-Ga2O3 ,  薄膜 ,  紫外線検出