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J-GLOBAL ID：200902276716770092   Reference number：06A0624349

Blue, Green, and Amber InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on Semipolar {11<span style=text-decoration:overline>2</span>2} GaN Bulk Substrates

半極性{11-22}GaNバルク基板上の青,緑とコハク色InGaN/GaN発光ダイオード

Author (7)： FUNATO Mitsuru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  UEDA Masaya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAWAKAMI Yoichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NARUKAWA Yukio (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  KOSUGI Takao (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  TAKAHASHI Masayoshi (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI Takashi (Nichia Corp., Tokushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 45  Issue： 24-28  Page： L659-L662  Publication year： Jul. 25, 2006 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： *InGaN ,...

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JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (16)：

• NAKAMURA, S. Blue Laser Diode. 2000
• BERNARDINI, F. Phys. Status Solidi B. 1999, 216, 391
• HANGLEITER, A. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1998, 3, 15
• WALTERELT, P. Nature (London). 2000, 406, 865
• CHITNIS, A. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3663

Terms in the title (8)： 半極性 ,  GaN ,  バルク ,  青 ,  緑 ,  コハク ,  InGaN ,  発光ダイオード