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J-GLOBAL ID：200902277223556764   Reference number：03A0799744

200MHz/200MSPS 3.2W at 1.5V Vdd, 9.4Mbits Ternary CAM with New Charge Injection Match Detect Circuits and Bank Selection Scheme.

新しい電荷注入マッチ検出回路およびバンク選択方式を持つ1.5Vddで200MHz/200MSPS 3.2Wの9.4Mbits三値CAM

Author (4)： KASAI G (SONY Corp., Tokyo, JPN) ,  TAKARABE Y (SONY Corp., Tokyo, JPN) ,  FURUMI K (SONY Corp., Tokyo, JPN) ,  YONEDA M (SONY Corp., Tokyo, JPN)
Material： Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference  (IEEE Custom Integrated Circuits Conference)
Volume： 2003  Page： 387-390  Publication year： 2003 
JST Material Number： H0843A  ISSN： 0886-5930  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *associative memory ,...
Semi thesaurus term： コンテンツアドレッサブルメモリ ,...

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JST classification (2)： Memory systems  (JC02040V) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： 電荷注入 ,  マッチ ,  検出回路 ,  バンク ,  三値 ,  CAM