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J-GLOBAL ID：200902277230452320   Reference number：04A0726060

Growth by a vapour-liquid-solid mechanism: a new approach for silicon carbide epitaxy

蒸気-液体-固体機構による成長 炭化けい素エピタクシーに対する新しい手法

Author (2)： FERRO G (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA) ,  JACQUIER C (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA)
Material： New Journal of Chemistry  (NJC)
Volume： 28  Issue： 8  Page： 889-896  Publication year： Aug. 2004 
JST Material Number： H0785A  ISSN： 1144-0546  CODEN： NJCHE5  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *VLS growth ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Salts  (CD01050V)

Terms in the title (6)： 蒸気 ,  固体 ,  成長 ,  炭化けい素 ,  エピタクシー ,  手法