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J-GLOBAL ID：200902277973787539   Reference number：09A0405610

Stain Etching with Fe(III), V(V), and Ce(IV) to Form Microporous Silicon

微細孔シリコンを生成するためのFe(III),V(V),及びCe(IV)でのステインエッチング

Author (2)： DUDLEY Margaret E. (West Chester Univ., Pennsylvania, USA) ,  KOLASINSKI Kurt W. (West Chester Univ., Pennsylvania, USA)
Material： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochem Solid-State Lett)
Volume： 12  Issue： 4  Page： D22-D26  Publication year： 2009 
JST Material Number： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *etching ,  etching solution ,  hydrogen fluoride ,  *vanadium oxide ,  *iron chloride ,  hydrogen chloride ,  sulfuric acid ,  *silicon ,  porous medium ,  photoluminescence ,  *fluoride ,  *cerium compound ,  reaction mechanism ,  scanning electron microscope ,  wet method ,  wet etching ,  *stain etching ,  *cerium fluoride
Semi thesaurus term： silicon ,  induction period ,  wet etching

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Solid-liquid interface  (CB12050B)

Terms in the title (5)： 微細孔 ,  シリコン ,  Fe ,  Ce ,  ステインエッチング