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J-GLOBAL ID：200902278000569526   Reference number：09A0546420

A High Gain 77GHz Power Amplifier Operating at 0.7V Based on 90nm CMOS Technology

90nm CMOS技術による0.7Vで動作する高利得77GHz電力増幅器

Author (4)： HAMADA Yasuhiro (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  TANOMURA Masahiro (NEC Corp., Otsu, JPN) ,  ITO Masaharu (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  MARUHASHI Kenichi (NEC Corp., Kawasaki, JPN)
Material： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microw Wirel Compon Lett)
Volume： 19  Issue： 5  Page： 329-331  Publication year： May. 2009 
JST Material Number： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *power amplifier ,  semiconductor process ,  *CMOS structure ,  MOSFET ,  microwave integrated circuit ,  gain ,  millimeter wave IC ,  *MOS structure
Semi thesaurus term： CMOS process

JST classification (1)： Amplification circuits  (NC05040U)

Terms in the title (3)： CMOS技術 ,  高利得 ,  電力増幅器