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J-GLOBAL ID：200902278213716344   Reference number：05A0214862

Effect of Silicon Addition on Electrical Properties of SrBi₂Ta₂O₉ Thin Films

SrBi₂Ta₂O₉薄膜の電気的性質に対するシリコン添加の効果

Author (3)： TAMURA S (High-Technol. Res. Center, Osaka, JPN) ,  OMURA Y (High-Technol. Res. Center, Osaka, JPN) ,  NAKAHARA S (High-Technol. Res. Center, Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 43  Issue： 11B  Page： 7871-7875  Publication year： Nov. 30, 2004 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： tantalate ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Reference (8)：

• 1) J. L. Moll and Y. Tarui: IEEE Trans. Electron Devices ED-10 (1963) 338.
• 2) S.-Y. Wu: IEEE Trans. Electron Devices ED-21 (1974) 499.
• 3) M. Okuyama, T. Ueda and Y. Hamakawa: Jpn. J. Appl. Phys. 24 (1985) Suppl. 24-2, Pt. 1, p. 619.
• 4) S. Matsubara, S. Miura, Y. Miyasaka and N. Shohata: J. Appl. Phys. 66 (1989) 5826.
• 5) T. Hirai, K. Teramoto, T. Nishi, T. Goto and Y. Tarui: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 5219.

Terms in the title (3)： 薄膜 ,  電気的性質 ,  シリコン