Art

J-GLOBAL ID：200902278235520095   Reference number：06A0269384

Phase change random access memory cell with superlattice-like structure

超格子様構造を持つ相変化ランダムアクセスメモリセル

Author (9)： CHONG T. C. (Data Storage Inst., DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  SHI L. P. (Data Storage Inst., DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  ZHAO R. (Data Storage Inst., DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  TAN P. K. (Data Storage Inst., DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  LI J. M. (Data Storage Inst., DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  LEE H. K. (Data Storage Inst., DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  MIAO X. S. (Data Storage Inst., DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  DU A. Y. (Inst. of Microelectronics, 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park II, Singapore 117685) ,  TUNG C. H. (Inst. of Microelectronics, 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park II, Singapore 117685)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 88  Issue： 12  Page： 122114-122114-3  Publication year： Mar. 20, 2006 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RAM ,...

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JST classification (1)： Electronic recording,magnetic recording,optical recording  (NC06020F)

Terms in the title (4)： 格子 ,  相変化 ,  ランダムアクセス ,  メモリセル