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J-GLOBAL ID：200902278236305899   Reference number：09A0429383

Infrared p-i-n photodiodes based on InAs quantum dots grown on 20 nm patterned GaAs

20nmのパターン化したGaAs上に成長させたInAs量子ドットに基づく赤外p-i-nフォトダイオード

Author (14)： ALIZADEH Azar (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  HAYS David (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  KEIMEL Chris (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  WATKINS Vicki H. (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  CONWAY Ken R. (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  TAYLOR Seth T. (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  NEANDER Rosalyn (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  DENAULT Lauraine (GE Global Res., Niskayuna, New York 12309, USA) ,  DESOUZA Christina (Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN) ,  SAVELIEV Igor (Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN) ,  BLUMIN Marina (Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN) ,  RUDA Harry E. (Dep. of Material Sci., Univ. of Toronto, Ontario M5S 3E4, CAN) ,  BRAUNSTEIN Edit (Lockheed Martin, Missiles and Fire Control, Orlando, Florida 32819, USA) ,  JONES Colin (Lockheed Martin, Missiles and Fire Control, Orlando, Florida 32819, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 94  Issue： 16  Page： 163112  Publication year： Apr. 20, 2009 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  *indium arsenide ,  quantum dot ,  plasma CVD ,  thin film growth ,  *PIN junction ,  *photodiode ,  avalanche photodiode ,  nucleation ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  arsenide ,  pattern formation ,  bias ,  gain
Semi thesaurus term： optical response

JST classification (2)： Diodes  (NC03050R) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (5)： GaAs ,  成長 ,  InAs量子ドット ,  赤外 ,  フォトダイオード