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J-GLOBAL ID：200902278764872711   Reference number：05A0657913

Advanced etching of silicon based on deep reactive ion etching for silicon high aspect ratio microstructures and three-dimensional micro- and nanostructures

シリコン高アスペクト比マイクロ構造および3次元マイクロ構造とナノ構造のための深反応性イオンエッチングによるシリコンエッチングの進展

Author (7)： MARTY F. (ESIEE, Ecole Superieure d’Ingenieurs en Electrotechnique et Electronique, Equipe Systemes de Communication et ...) ,  ROUSSEAU L. (ESIEE, Ecole Superieure d’Ingenieurs en Electrotechnique et Electronique, Equipe Systemes de Communication et ...) ,  SAADANY B. (ESIEE, Ecole Superieure d’Ingenieurs en Electrotechnique et Electronique, Equipe Systemes de Communication et ...) ,  MERCIER B. (ESIEE, Ecole Superieure d’Ingenieurs en Electrotechnique et Electronique, Equipe Systemes de Communication et ...) ,  FRANCAIS O. (ESIEE, Ecole Superieure d’Ingenieurs en Electrotechnique et Electronique, Equipe Systemes de Communication et ...) ,  MITA Y. (VLSI Design and Education (VDEC), The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo, JPN) ,  BOUROUINA T. (ESIEE, Ecole Superieure d’Ingenieurs en Electrotechnique et Electronique, Equipe Systemes de Communication et ...)
Material： Microelectronics Journal  (Microelectron J)
Volume： 36  Issue： 7  Page： 673-677  Publication year： Jul. 2005 
JST Material Number： A0186A  ISSN： 0026-2692  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RIE ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： シリコン ,  高アスペクト比 ,  マイクロ構造 ,  3次元 ,  ナノ構造 ,  反応性イオンエッチング ,  シリコンエッチング ,  進展