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J-GLOBAL ID：200902279040832676   Reference number：08A0806804

Characterization of Transient Gate Oxide Trapping in SiC MOSFETs Using Fast I-V Techniques

高速電流電圧技術を使用したSiC MOSFETs中の過渡ゲート酸化膜トラッピングのキャラクタリゼーション

Author (10)： GURFINKEL Moshe (Tel Aviv Univ., Tel Aviv, ISR) ,  XIONG Hao D. (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  CHEUNG Kin P. (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  SUEHLE John S. (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  BERNSTEIN Joseph B. (Bar-Ilan Univ., Ramat-Gan, ISR) ,  BERNSTEIN Joseph B. (Univ. Maryland, MD, USA) ,  SHAPIRA Yoram (Tel Aviv Univ., Tel Aviv, ISR) ,  LELIS Aivars J. (Army Res. Lab., MD, USA) ,  HABERSAT Daniel (Army Res. Lab., MD, USA) ,  GOLDSMAN Neil (Univ. Maryland, MD, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 55  Issue： 8  Page： 2004-2012  Publication year： Aug. 2008 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *MOSFET ,  voltage ,  instability ,  current-voltage characteristic ,  oxide film ,  gate(semiconductor) ,  characterization ,  passivation ,  *annealing(phenomenon) ,  *carrier capture ,  trapping center ,  nitrogen oxide
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  gate dielectric ,  channel mobility ,  passivation ,  threshold voltage

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： SiC ,  ゲート酸化膜 ,  トラッピング ,  キャラクタリゼーション