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J-GLOBAL ID：200902279845198752   Reference number：06A0173290

Direct Observation of Worst-Bit Leakage Currents of DRAM

DRAMのワーストビット漏れ電流の直接観察

Author (7)： MORI Yuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  MONIWA Masahiro (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  OHYU Kiyonori (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHYU Kiyonori (Elpida Memory, Inc., Kanagawa, JPN) ,  YAMANAKA Toshiaki (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  YAMADA Ren-ichi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 53  Issue： 2  Page： 398-400  Publication year： Feb. 2006 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *DRAM ,...
Semi thesaurus term： forbidden band ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (3)： DRAM ,  ビット ,  漏れ電流