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J-GLOBAL ID：200902280536926814   Reference number：09A0910377

Electronic States of P Donors in Si Nanocrystals Embedded in Amorphous SiO₂Layer Studied by Electron Spin Resonance: Hydrogen Passivation Effects

非晶質のSiO₂層中に埋め込まれたSiナノ結晶におけるPドナーに関する電子スピン共鳴によって研究した電子状態:水素による不動態化効果

Author (6)： MURAKAMI Kouichi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TSUJIMURA Masatoshi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SHIRAKAWA Ryota (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  UCHIDA Noriyuki (Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUKATA Naoki (National Inst. for Materials Sci.) ,  FUKATA Naoki (JST-PRESTO, Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 8,Issue 1  Page： 081201.1-081201.6  Publication year： Aug. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： amorphous state ,  *silicon dioxide ,  *dielectric thin film ,  interposition ,  *nano crystal ,  *silicon ,  semiconductor ,  phosphorus ,  doping ,  ESR ,  donor ,  electronic state ,  Hydrogen ,  treatment ,  temperature dependence ,  microwave ,  electric power ,  size effect ,  spin-lattice relaxation ,  relaxation time ,  concentration dependence ,  electron spin ,  impurity concentration ,  atomic hydrogen ,  hyperfine structure

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (25)：

• H. Sellier, G. P. Lansbergen, J. Caro, S. Rogge, N. Collaert, I. Ferain, M. Jurezak, and S. Biiesemans: Phys. Rev. Lett.97(2006)206805.
• C. Yang, Z. Zhong, and C. M. Lieber: Science 310(2005)1304.
• D. J. Norris, A. L. Efros, and S. C. Erwin: Science 319(2008)1776.
• M. V. Fernandez-Serra, Ch. Addessi, and X. Blase: Phys. Rev. Lett.96(2006)166805.
• M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, Y. Yamamoto, and K. Murakami: Phys. Rev. Lett.89(2002)206805.

Terms in the title (9)： 非晶質 ,  Si ,  ナノ結晶 ,  ドナー ,  電子スピン共鳴 ,  研究 ,  電子状態 ,  水素 ,  不動態化