Art

J-GLOBAL ID：200902280951331834   Reference number：08A0041646

Graphene Transistors Fabricated via Transfer-Printing In Device Active-Areas on Large Wafer

大きなウエファー上のデバイス活性範囲における転写によって作成されたグラフェントランジスター

Author (3)： LIANG Xiaogan (Princeton Univ., New Jersey) ,  FU Zengli (Princeton Univ., New Jersey) ,  CHOU Stephen Y. (Princeton Univ., New Jersey)
Material： Nano Letters  (Nano Lett)
Volume： 7  Issue： 12  Page： 3840-3844  Publication year： Dec. 2007 
JST Material Number： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： cut ,...
Semi thesaurus term： *graphite

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JST classification (3)： Other physical chemistry in general  (CB01030T) ,  Atomic and molecular clusters  (BH09030O) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： ウエファー ,  活性 ,  転写