MOCVD法によるCurie温度前後で成膜したPb(Zr,Ti)O<sub>3</sub>薄膜の特性評価

OKANIWA MAMORU; FUJISAWA HIRONORI; SHIMIZU MASARU; NIU HIROHIKO

Art

J-GLOBAL ID：200902281051071825 Reference number：03A0310135

MOCVD法によるCurie温度前後で成膜したPb(Zr,Ti)O₃薄膜の特性評価

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Volume： 50th Issue： 2 Page： 600 Publication year： Mar. 27, 2003
JST Material Number： Y0054A Document type： Proceedings
Article type：短報 Country of issue： Japan (JPN) Language： JAPANESE (JA)

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Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity , Oxide thin films

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MOCVD法によるCurie温度前後で成膜したPb(Zr,Ti)O3薄膜の特性評価

MOCVD法によるCurie温度前後で成膜したPb(Zr,Ti)O₃薄膜の特性評価