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J-GLOBAL ID：200902281082735764   Reference number：04A0308351

A 90-nm Low-Power 32-kB Embedded SRAM With Gate Leakage Suppression Circuit for Mobile Applications

携帯機器用のゲート漏れ電流抑制回路を持つ90nm低電力32kB埋込みSRAM

Author (9)： NII K (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  TSUKAMOTO Y (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  YOSHIZAWA T (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  IMAOKA S (Renesas Device Design Corp., Hyogo, JPN) ,  YAMAGAMI Y (Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN) ,  SUZUKI T (Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN) ,  SHIBAYAMA A (Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN) ,  MAKINO H (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  IWADE S (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
Material： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE J Solid-State Circuits)
Volume： 39  Issue： 4  Page： 684-693  Publication year： Apr. 2004 
JST Material Number： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *SRAM ,...
Semi thesaurus term： ゲート漏れ電流 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (5)： 携帯機器 ,  ゲート漏れ電流 ,  低電力 ,  埋込み ,  SRAM