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J-GLOBAL ID：200902281151766936   Reference number：04A0460197

Direct-bandgap properties and evidence for ultraviolet lasing of hexagonal boron nitride single crystal

六方晶窒化ほう素単結晶の直接バンドギャップ特性と紫外レーザ発振の証拠

Author (3)： WATANABE K (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TANIGUCHI T (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  KANDA H (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
Material： Nature Materials  (Nat Mater)
Volume： 3  Issue： 6  Page： 404-409  Publication year： Jun. 2004 
JST Material Number： W1364A  ISSN： 1476-1122  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *boron nitride ,...
Semi thesaurus term： *forbidden band ,...

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JST classification (3)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Properties of ceramics and ceramic whiteware  (YC03030G)

Terms in the title (5)： 六方晶窒化ほう素 ,  単結晶 ,  直接バンドギャップ ,  紫外レーザ ,  証拠