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J-GLOBAL ID：200902281760385493   Reference number：05A0991909

Control of threshold voltage in pentacene thin-film transistors using carrier doping at the charge-transfer interface with organic acceptors

有機アクセプタを有する電荷移動界面におけるキャリアドーピングを用いたペンタセン薄膜トランジスタにおけるしきい値電圧の制御

Author (5)： ABE Y. (Correlated Electron Res. Center (CERC), AIST, Tsukuba 305-8562, JPN) ,  HASEGAWA T. (Correlated Electron Res. Center (CERC), AIST, Tsukuba 305-8562, JPN) ,  TAKAHASHI Y. (Correlated Electron Res. Center (CERC), AIST, Tsukuba 305-8562, JPN) ,  YAMADA T. (Correlated Electron Res. Center (CERC), AIST, Tsukuba 305-8562, JPN) ,  TOKURA Y. (Correlated Electron Res. Center (CERC), AIST, Tsukuba 305-8562, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 87  Issue： 15  Page： 153506-153506-3  Publication year： Oct. 10, 2005 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,...
Semi thesaurus term： trap(solid)

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Substance index (1)： Pentacene

Terms in the title (7)： アクセプタ ,  電荷移動 ,  界面 ,  キャリアドーピング ,  ペンタセン ,  薄膜トランジスタ ,  しきい値電圧