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J-GLOBAL ID：200902281850881643   Reference number：04A0402814

High mobility of pentacene field-effect transistors with polyimide gate dielectric layers

ポリイミド・ゲート誘電体層を備えたペンタセンの電界効果トランジスターの高移動度

Author (7)： KATO Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IBA S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TERAMOTO R (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SEKITANI T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SOMEYA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KAWAGUCHI H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAKURAI T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 84  Issue： 19  Page： 3789-3791  Publication year： May. 10, 2004 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *polyimide ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： Pentacene

Terms in the title (5)： ポリイミド ,  ゲート誘電体 ,  ペンタセン ,  電界効果トランジスター ,  高移動度