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J-GLOBAL ID：200902283187585043   Reference number：09A0420951

硫黄終端GaAs(001)-(2x6)面におけるX線表面散乱測定

Author (11)： KONISHI TOMOYA (阿南工高専) ,  TOJO TAKASHI (阿南工高専) ,  NISHIWAKI NAGATOSHI (阿南工高専) ,  KIHARA YOSHIFUMI (阿南工高専) ,  MORITOKI HIDEJI (阿南工高専) ,  TADA TAKASHI (阿南工高専) ,  FUJIKAWA SEIJI (日本原子力研究開発機構) ,  TAKAHASHI MASAMITSU (日本原子力研究開発機構) ,  BELL Gavin (英国ウォーリック大) ,  ISHII AKIRA (鳥取大 大学院工学研究科) ,  TSUKAMOTO SHIRO (阿南工高専)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 56th  Issue： 1  Page： 447  Publication year： Mar. 30, 2009 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *sulfur ,  *termination ,  *gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  X-ray scattering ,  scanning electron microscope ,  RHEED ,  supported catalyst ,  surface reconstruction ,  synchrotron radiation facility ,  coverage factor ,  *surface structure ,  *palladium catalyst ,  organopalladium compound

JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Preparation of catalysts  (CB06110P)

Substance index (1)： Diacetic acid palladium(II) salt

Terms in the title (5)： 硫黄 ,  終端 ,  GaAs ,  X線 ,  表面散乱